Створення мікропроцесорної системи обробки інформац
Обновлено
41
41
Содержание
- Вступ
- 1. Розробка структурної схеми системи
- 2. Розробка І опис принципової схеми системи
- 2.1 Розробка мікропроцесорного блоку
- 2.2 Розробка блоку пам'яті (ОЗП і ПЗП)
- 2.3 Інтервальний таймер
- 2.4 Аналого-цифровий перетворювач (АЦП)
- 2.5 Контролер клавіатури і індикації
- 2.6 Адаптер послідовного інтерфейсу Intel 8251
- Висновки
VCC | вивід джерела споживання | |
RESET | вхід системного скидання | |
XTAL1, XTAL2 | виводи для підключення кварцевого резонатору | |
РА0 ч РА7 | 8-розрядний двунаправлений порт А вводу/виводу з третім станом, при роботі з зовнішньою пам'яттю являється суміщеною шиною адреси даних (адрес необхідно по сигналу ALE занести в регістр) | |
PB0 ч PB7 | 8 - розрядний двунаправлений порт В вводу/виводу з третім станом, який має альтернативні функції | |
OC0/ТО (РВО) | вход зовнішнього сигналу таймера/лічильника ТО або виход таймера/лічильника ТО в режимах Compare, PWM | |
OC2/Т1 (РВ1) | вхід зовнішнього сигналу таймера/лічильника Т1 | |
AIN0 (PB2) | позитивний вхід компаратору | |
AIN1 (PB3) | негативний вхід компаратору | |
SS (PB4) | вибір підлеглого пристрою (slave) на шині SPI (послідовний інтерфейс) | |
MOS1 (PB5) | виход головного (master) чи вхід підлеглого (slave) пристрою даних модуля SPI | |
MІS0 (PB6) | вхід головного (master) чи вихід підлеглого (slave) пристрою даних модуля SPI | |
SCK (РВ7) | виход головного (master) чи вхід підлеглого (slave) пристрою тактового сигналу модуля SPI | |
PC0 ч PC7 | 8 - розрядний двунаправлений порт С вводу/виводу з третім станом, має альтернативну функцію - передає старший байт адреси (А8чА15) при роботі з зовнішньою пам'яттю | |
PD0чPD7 | 8 - розрядний двунаправлений порт D вводу/виводу з третім станом, має альтернативні функції | |
RxD0 (PD0) | вхід приймача універсального асинхронно послідовного порта (USART) | |
TxD0 (PD1) | виход передавальника універсального асинхронно послідовного порта (USART) | |
INT0 (PD2) | вхід зовнішнього переривання 0 | |
INT1 (PD3) | вхід зовнішнього переривання 1 | |
XCK0 (PD4) | вхід/вихід зовнішнього сигналу синхронізації (тактового сигналу USART) | |
OC1A (PD5) | виход А таймера/лічильника Т1 в режимі порівняння (Compare) і в режимі шин сигнала (PWM) | |
WR (PD6) | строб запису у зовнішнє ОЗП | |
RD (PD7) | строб читання із зовнішнього ОЗП | |
РЕ0чРЕ2 | 3-розрядний двунаправлений порт Е вводу/виводу с третім сстаном, має альтернативні функції | |
РЕ0 (INT2) | вхід зовнішнього переривання 2 | |
ICP1 | вхід захвату таймера/лічильника Т1 (режим Compare) | |
РЕ1 (ALE) | строб адреси зовнішнього ОЗУ, записується адрес в регістр-заклямку | |
PE2 (OC1B) | вихід В таймера/лічильника Т1 в режимі Compare и PWM | |
GND | загальний вивід |
Електричні характеристики
Гранично-допустимі параметри
Робоча температура | -55°C…+125°C | |
Температура зберігання | -65°C…+150°C | |
Напруга на будь-якому виводі по відношенню до загального пі-танія, окрім RESET | -1.0В … VCC+0.5В | |
Напруга на виводі скидання RESET по відношенню до об-щему | -1.0В … +13.0В | |
Максимальна робоча напруга | 6.0В | |
Постійний струм через лінію введення-виводу | 40.0 мА | |
Постійний струм через виводи VCC і GND | 200.0 мА |
Статичні характеристики
Обозн. | Параметр | Умови вимірювання | Мин. | Ном. | Макс. | Ед. изм. | |
VIL | Вхідна напруга низького рівня | Окрім виводів XTAL1 і RESET | -0.5 | 0.2 VCC (1) | В | ||
VIL1 | Вхідна напруга низького рівня | виведення XTAL1, ви-брана зовнішня син-хронізация | -0.5 | 0.1 VCC (1) | В | ||
VIL2 | Вхідна напруга низького рівня | виведення скидання RESET | -0.5 | 0.2 VCC (1) | В | ||
VIH | Вхідна напруга високого рівня | Окрім виводів XTAL1, RESET | 0.6 VCC (2) | VCC + 0.5 | В | ||
VIH1 | Вхідна напруга високого рівня | Виведення XTAL1, ви-брана зовнішня син-хронізация | 0.7 VCC (2) | VCC + 0.5 | В | ||
VIH2 | Вхідна напруга високого рівня | Виведення скидання RESET | 0.85 VCC (2) | VCC + 0.5 | В | ||
VOL | Вихідна напруга низького рівня (3) (порты A,B,C,D, E, F, G) | IOL = 20 мА, VCC = 5В IOL = 10 мА, VCC = 3В | 0.7 0.5 | В | |||
VOH | Вихідна напруга високого рівня (4) (порты A,B,C,D) | IOH = - 20 мА, VCC = 5В IOH = - 10 мА, VCC = 3В | 4.0 2.2 | В | |||
IIL | Вхідний струм витоку через лінію введення-виводу | Vcc = 5.5В, лог.0 (абс. значение) | 8.0 | мкА | |||
IIH | Вхідний струм витоку через лінію введення-виводу | Vcc = 5.5В, лог.1 (абс. значение) | 8.0 | мкА | |||
RRST | Опір подтягивающего резистора на вході скидання | 30 | 100 | кОм | |||
RPEN | Опір подтягивающего резистора на вході PEN | 25 | 100 | кОм | |||
RPU | Опір подтягивающего резистора на лініях введення-виводу | 20 | 100 | кОм | |||
ICC | Споживаний струм | 4 МГц, VCC = 3В, активний режим (ATmega128L) | 5 | мА | |||
8 МГц, VCC = 5В, активний режим (ATmega128) | 20 | мА | |||||
4 МГц, VCC = 3В, режим холостого хода (ATmega128L) | 2 | мА | |||||
8 МГц, VCC = 5В, режим холостого хода (ATmega128) | 12 | мА | |||||
Режим виключення (Power-down) (5) | Стор. таймер включен, VCC = 3В | < 25 | 40 | мкА | |||
Стор. таймер отключен, VCC = 3В | < 10 | 25 | мкА | ||||
VACIO | Вхідна напруга зсуву аналогового компаратора | VCC = 5В Vвх = VCC/2 | 40 | мВ | |||
IACLK | Вхідний струм витоку аналогового компаратора | VCC = 5В Vвх = VCC/2 | -50 | 50 | нА | ||
tACID | Затримка на ініциалізацію аналогового компаратора | VCC = 2.7В VCC = 5.0В | 750 500 | нс | |||
tACID | Затримка распространенію сигналу в аналоговому компараторі | VCC = 2.7В VCC = 5.0В | 750500 | нс |
Завдяки тому, що шина даних і адреси в МК ATmega128 сполучені й мають поділ тільки в часі, то для їхнього поділу будемо використати регістр із третім станом К1810ИР82 для зберігання адреси.
Восьмирозрядні буферні регістри К1810ИР82 використовуються для організації запам'ятовуючих пристроїв, портів уводу-виводу, мультиплексорів і т.п. Буферні регістри складаються із восьми тригерів Т з виходними схемами 5Ш з трьома станами.
Формувач має дві групи - А і В виводів, а також два керуючих виводи - SТB та ОЕ. Дозвіл передачі залежить від рівня сигналу на виводі ОЕ, а напрямок передачі визначається рівнем сигналу на виводі Т.
Електричні параметри К1830ИР82.
Вхідний струм низького рівня не більше 0,2 мА
Вхідний струм високого рівня не більше 50 мкА
Вихідна напруга низького рівня не більше 0,45 В при струмі 32мА
Вихідна напруга високого рівня не меньше 2,4 В при струмі 1мА
Рис.3 - Умовне графічне позначення К1830ИР82
Для створення адресації зовнішніх пристроїв використовується дешифратор 3-8. На входи якого потрапляють молодші розряди адреси, а на виході установлюються сигнали вибору кристалу мікросхеми.
Рис.4 - Умовне графічне позначення К155ИД7
В цій мікро ЄОМ присутні пять зовнішніх пристроїв. Таким чином селектор адреси повинен бути більше ніж на пять розрядів, а також він повинен мати інверсні виходи для керування виборкою кристалів які також інверсні. Вище приведений (SN74138N) повністю задовольняє цим вимогам.
Розробка фізичних адрес зовнішніх пристроїв:
А13 | А14 | А15 | CS | Назва пристрою | Фізична адреса | |
0 | 0 | 0 | 0 | RAM1 (2K) | 0000H-1FFFH | |
1 | 0 | 0 | 1 | ROM1 (2K) | 2000H-3FFFH | |
0 | 1 | 0 | 2 | ROM2 (2K) | 4000H-5FFFH | |
1 | 1 | 0 | 3 | ROM3 (1K) | 6000H-7FFFH | |
0 | 0 | 1 | 4 | ККіІ | 8000Н | |
1 | 0 | 1 | 5 | АЦП | A000Н | |
0 | 1 | 1 | 6 | Інтервальний таймер | C000Н | |
1 | 1 | 1 | 7 | Послідовний інтерфейс | E000H |
Рис.5 - Схема підключення процесорного блоку
2.2 Розробка блоку пам'яті (ОЗП і ПЗП)Ісходні дані:Кількість комірок зовнішнього ОЗП NОЗУ - 2КЧ8Вхідні струми:при логічному 0, IIL - 1,6 мАпри логічній 1, IIH - 0,1 мАВхідна ємкість логічних схем навантаження, СI - 5 пФМонтажні ємкості усіх ланцюгів (См = 20 пФ).Згідно завдання кількість комірок ОЗП складає NОЗУ.Розрядність ОЗП nОЗУ повинна відповідати розрядності обробки даних ЦП.Інформаційна ємкість СОЗУ визначається по формулі:У якості мікросхеми ОЗП виберемо К537РУ10.Необхідна швидкодія ОЗП визначається по тимчасовим діаграмам ЦП. Для МК ATmega128 тривалість циклу запису (зчитування) tС равно 2ТМТ, де ТМТ - тривалість машинного такту.При частоті кварцевого резонатора fтг = 9 МГц тривалість tС дорівнює:Тривалість циклу мікросхеми пам'яті tcy повинна задовольняти нерівності:Мікросхему ОЗП виберемо К537РУ10, тому що вона ідеально підходить і не створює збитковості для даного випадку. Для цієї мікросхеми пам'яті ємкість 2К, а розрядність слова 8 біт:.Розрахуємо число ВІС ОЗП в ряду матриці:де nБИС - розрядність обраної мікросхеми пам'яті.Визначимо число розрядів стовбців матриці:де NБИС - кількість комірок обраної мікросхеми пам'яті.Загальна кількість ВІС ОЗП дорівнює:Таким чином, кількість корпусів ОЗП дорівнює 1.Визначимо струмове IDL и IDH і ємкістне СD навантаження для схем вводу інформації в ОЗП по формулам:IDL = mc IIDL = 1 * 1,6 = 1,6 мАIDH = mc IIDH = 1 * 0,1 = 0,1 мАCD = mc CID + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФде IIDL, IIDH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по інформаційним ланцюгам обраної ВІС ОЗП.CID - вхідна ємкість по інформаційному входу ВІС ОЗП.Визначимо стум навантаження і ємкістне навантаження для схем вводу адреси по ланцюгам адресу ВІС ОЗП по формулам:IAL = m IIAL = 1 * 1,6 = 1,6 мАIAH = m IIAH = 1 * 0,1 = 0,1 мАCA = m CIA + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФде IIАL, IIAH - вхідні токи логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам адресу обраної ВІС ОЗП.CIА - вхідна ємкість по входу адресу ВІС ОЗП.Визначимо струми навантаження ICSL, ICSH і величину ємкісного навантаження СCS по ланцюгам вибору мікросхем (CS) по формулам:ICSL = mp IICSL = 1 * 1,6 = 1,6 мАICSH = mp IICSH = 1 * 0,1 = 0,1 мАCCS = mp CICS + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФде IICSL, IICSH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам вибору (CS) ВІС ОЗП.CСS - вхідна ємкість по ланцюгам вибору мікросхем (CS) ВІС ОЗП.Значення ICSL, ICSH и CCS не повинні перевищувати максимально допустимі значення для обраних мікросхем, що забезпечують вибір ВІС ОЗП.Рис.6 Умовно графічне позначення ОЗП К537РУ10Найменування виводів:A0 ч A10 - адресні входи.W/R - запис/зчитування.CS1 - chip select, чіп вибору.CEO - виход дозволу.D0 ч D7 - шина даних вводу/виводу.ОЗП представляє собою статичний асинхронний оперативно запом'ятовуючий пристрій.Режими роботи ОЗП:CS | OE | WR | A0. .10 | D0. .7 | Режим | |
M | X | X | Адрес | Дані | Зберігання | |
L | X | L | Запись | |||
L | L | H | Зчитування | |||
L | H | H | Заборона виходу |
Технологічні та електричні характеристики К537РУ10:
Технологія - КМОП
Організація - 2КЧ8
Час виборки, ns - не більш 220
Напруга живлення, V - 5
Струм живлення, мА
у режимі звернення - 30
у режимі зберігання - 1-2
Вхідна напруга, V
при логічному 0 - min 0 - max 0,4
при логічній 1 - min 0,9Ucc - max 0,5
Вихідна напруга, V
при логічному 0 - min 0 - max 0,4
при логічній 1 - min 2,4 - max 0,4
Вихід - 3 с.
Діапазон робочих температур, єС - - 10 - +70
Розрахуємо ПЗП:
Оскільки по завданню необхідно створити ПЗП емкість 5К8, то було прийнято рішення використати дві схеми емкістю 2К8 та одну 1К8.
Початкові дані для мікросхеми КР556РТ20 1К8:
Кількість комірок зовнішнього ПЗП NОЗУ - 1КЧ8
Вхідні струми:
при логічному 0, IIL - 0,25 мА
при логічній 1, IIH - 0,04 мА
Вхідна ємкість логічних схем навантаження, СI - 5 пФ
Монтажні ємкості усіх ланцюгов (См = 20 пФ).
Згідно завдання кількість комірок ПЗП складає NОЗУ.
Розрядність ПЗП nОЗУ повинна відповідати розрядності обробки даних ЦП.
Інформаційна ємкість СОЗУ визначається по формулі:
Необхідна швидкодія ПЗП визначається по тимчасовим діаграмам ЦП. Для МК ATmega128 тривалість циклу запису (зчитування) tС равно 2ТМТ, де ТМТ - тривалість машинного такту.
При частоті кварцевого резонатора fтг = 9 МГц тривалість tС дорівнює:
Тривалість циклу мікросхеми пам'яті tcy повинна задовольняти нерівності:
У якості мікросхеми ПЗП виберемо КР556РТ20, тому що вона ідеально підходить і не створює збитковості для даного випадку. Для даної мікросхеми пам'яті ємкість 1К, а розрядність слова 8 біт:
.
Розрахуємо число ВІС ПЗП в ряду матриці:
де nБИС - розрядність обраної мікросхеми пам'яті.
Визначимо число розрядів стовбців матриці:
де NБИС - кількість комірок обраної мікросхеми пам'яті.
Загальна кількість ВІС ПЗП дорівнює:
Таким чином, кількість корпусів ПЗП дорівнює 1.
Визначимо стум навантаження і ємкістне навантаження для схем вводу адреси по ланцюгам адресу ВІС ПЗП по формулам:
IAL = m IIAL = 1 * 0,25 = 0,25 мА
IAH = m IIAH = 1 * 0,04 = 0,04 мА
CA = m CIA + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФ
де IIАL, IIAH - вхідні токи логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам адресу обраної ВІС ПЗП. CIА - вхідна ємкість по входу адресу ВІС ПЗП.
Визначимо струми навантаження ICSL, ICSH і величину ємкісного навантаження СCS по ланцюгам вибору мікросхем (CS) по формулам:
ICSL = mp IICSL = 1 * 0,25 = 0,25 мА
ICSH = mp IICSH = 1 * 0,04 = 0,04 мА
CCS = mp CICS + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФ
де IICSL, IICSH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам вибору (CS) ВІС ПЗП.
CСS - вхідна ємкість по ланцюгам вибору мікросхем (CS) ВІС ПЗП.
Враховуючи, що на відміну від ОЗП інформація з ПЗП тільки зчитується, то необхідно визначити струми навантаження і ємкість навантаження на інформаційні виходи ВІС ПЗП по формулам:
IQL = mР IIL = 1 0,25 = 0,25 мА
IQH = mР IIH = 1 0,04 = 0,04 мА
CQ = mC CQO + mР CI + Cm = 1 5 + 1 5 + 20 = 30 пФ
де IQL, IQH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 мікросхем навантаження ВІС ПЗП, CQO - вихідна ємкість одного інформаційного виходу ВІС ПЗП, CI - вхідна ємкість мікросхем навантаження ВІС ПЗП.
Отримані значення струмів не повинні перевищувати граничні значення для обраних мікросхем пам'яті.
Рис.7 Умовно графічне позначення ПЗП КР556РТ20
Найменування виводів:
A0 ч A9 - адресні входи.
D0 ч D7 - шина даних вводу/виводу.
CECS, CECS1 - вибір мікросхеми
Технологічні та електричні характеристики КР556РТ20:
Технологія - ТТЛШ
Організація - 1КЧ8
Час виборки, ns - не більш 65
Напруга живлення, V - 5
Струм живлення, мА - 180 мА
Вхідна напруга, V
при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5
при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5
Вихідна напруга, V
при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5
при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5
Вихід - 3 с.
Потужність споживання, mW - 875
Діапазон робочих температур, єС - - 10 - +70
Початкові дані для мікросхеми КР556РТ18 2К8:
Кількість комірок зовнішнього ПЗП NОЗУ - 4КЧ8
Вхідні струми:
при логічному 0, IIL - 0,25 мА
при логічній 1, IIH - 0,04 мА
Вхідна ємкість логічних схем навантаження, СI - 5 пФ
Монтажні ємкості усіх ланцюгів (См = 20 пФ).
Згідно завдання кількість комірок ПЗП складає NОЗУ.
Розрядність ПЗП nОЗУ повинна відповідати розрядності обробки даних ЦП. Інформаційна ємкість СОЗУ визначається по формулі:
Необхідна швидкодія ПЗП визначається по тимчасовим діаграмам ЦП. Для МК ATmega128 тривалість циклу запису (зчитування) tС равно 2ТМТ, де ТМТ - тривалість машинного такту. При частоті кварцевого резонатора fтг = 9 МГц тривалість tС дорівнює:
Тривалість циклу мікросхеми пам'яті tcy повинна задовольняти нерівності:
У якості мікросхеми ПЗП виберемо КР556РТ20, тому що вона ідеально підходить і не створює збитковості для даного випадку. Для даної мікросхеми пам'яті ємкість 1К, а розрядність слова 8 біт:
.
Розрахуємо число ВІС ПЗП в ряду матриці:
де nБИС - розрядність обраної мікросхеми пам'яті. Визначимо число розрядів стовбців матриці:
де NБИС - кількість комірок обраної мікросхеми пам'яті.
Загальна кількість ВІС ПЗП дорівнює:
Таким чином, кількість корпусів ПЗП дорівнює 2.
Визначимо стум навантаження і ємкістне навантаження для схем вводу адреси по ланцюгам адресу ВІС ПЗП по формулам:
IAL = m IIAL = 2 * 0,25 = 0,50 мА, IAH = m IIAH = 2 * 0,04 = 0,08 мА
CA = m CIA + Cm = 2 * 5 + 20 = 30 пФ
де IIАL, IIAH - вхідні токи логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам адресу обраної ВІС ПЗП.
CIА - вхідна ємкість по входу адресу ВІС ПЗП.
Визначимо струми навантаження ICSL, ICSH і величину ємкісного навантаження СCS по ланцюгам вибору мікросхем (CS) по формулам:
ICSL = mp IICSL = 1 * 0,25 = 0,25 мА
ICSH = mp IICSH = 1 * 0,04 = 0,04 мА
CCS = mp CICS + Cm = 1 * 5 + 20 = 25 пФ
де IICSL, IICSH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 по ланцюгам вибору (CS) ВІС ПЗП.
CСS - вхідна ємкість по ланцюгам вибору мікросхем (CS) ВІС ПЗП.
Враховуючи, що на відміну від ОЗП інформація з ПЗП тільки зчитується, то необхідно визначити струми навантаження і ємкість навантаження на інформаційні виходи ВІС ПЗП по формулам:
IQL = mР IIL = 1 0,25 = 0,25 мА
IQH = mР IIH = 1 0,04 = 0,04 мА
CQ = mC CQO + mР CI + Cm = 2 5 + 1 5 + 20 = 35 пФ
де IQL, IQH - вхідні струми логічного 0 і логічної 1 мікросхем навантаження ВІС ПЗП, CQO - вихідна ємкість одного інформаційного виходу ВІС ПЗП, CI - вхідна ємкість мікросхем навантаження ВІС ПЗП.
Отримані значення струмів не повинні перевищувати граничні значення для обраних мікросхем пам'яті.
Рис.8 Умовно графічне позначення ПЗП КР556РТ18
Найменування виводів:
A0 ч A10 - адресні входи.
D0 ч D7 - шина даних вводу/виводу.
CS1 ч СS3 - вибір мікросхеми
Технологічні та електричні характеристики КР556РТ20:
Технологія - ТТЛШ
Організація - 2КЧ8
Час виборки, ns - не більш 60
Напруга живлення, V - 5
Струм живлення, мА - 180 мА
Вхідна напруга, V
при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5
при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5
Вихідна напруга, V
при логічному 0 - min 2,4 - max 0,5
при логічній 1 - min 2,4 - max 0,5
Вихід - 3 с.
Потужність споживання, mW - 875
Діапазон робочих температур, єС - - 10 - +70
Рис.9 - Схема підключення процесорного блоку і пам'яті
2.3 Інтервальний таймерОдним з елементів, обумовлених завданням, є інтервальний таймер i8254. Таймер призначений для формування затримок послідовності імпульсів, формування одиночних імпульсів заданої тривалості, формування стробуємих імпульсів із програмованою затримкою. Виконаний по n-МОП технології.Рис.10 - Умовне графічне позначення таймеру i8254D0 - D7 - двонаправлена шина даних з високоімпедансним станом.А0 - А1 - розряди шини даних, визначають регістр, що буде адресуватися: А1А0 = 00 - адреса каналу 0; А1А0 = 01 - адреса каналу 1; А1А0 = 10 - адреси каналу 2; А1А0 = 11 - адреса регістра керуючого слова - вибір кристала - сигнал запису - сигналу читанняCLK0 - CLK2 - вхід дозволу подачі імпульсу від зовнішнього джерелаGATE0 - GATE2 - вхід дозволу подачі імпульсу сlk на таймер/лічильникOUT0 - OUT2 - вихід таймерів/лічильниківВхідні сигнали CLK0 - CLK2 подаються через схеми із зовнішніми керуючими входами GATE0 - GATE2. Кожен лічильник має вихідний сигнал OUT. Інші вузли схеми призначені для установки режиму й реалізації інтерфейсу із системною шиною.Для функціонування таймера мікроконтролер повинен завантажити керуючі слова, значення яких позначають режим кожного лічильника, і необхідні початкові значення. У завданні нам дані параметри для програмування таймера, тому ми проініціализуємо його в розділі розробки програм ініціалізації.Електричні параметри i8254:1. Напруга живлення - 5 В2. Вихідна напруга:високого рівня - 2,4 Внизькі рівні - 0,5 В3. Вихідний струм високого рівня - 1 мА4. Вихідний струм низького рівня - 5 мА5. Вхідний струм високого рівня - 30 мкА6. Вхідний струм низького рівня - 30 мкАРис.11 - Схема підключення таймера i82542.4 Аналого-цифровий перетворювач (АЦП)Згідно із завданням, у нашій МПС повинен бути використаний аналого-цифровий перетворювач. Це пристрій, який перетворює аналоговий сигнал у цифровий код. Цей код повинен потрапляти на всі пристрої, таким чином, АЦП підключається до загальної шини.Варіантом передбачено використання 12ти розрядного швидко-діючого АЦП послідовного наближення, працюючого із ТТЛ-рівнями. Так як дана мікросхема не має окремого блоку цифрового керування, то включення АЦП до шини даних проводиться завдяки регістру К1810ИР82. Нижче наведено УГП MAX201В (іноземний аналог).Рис.12 - Умовно графічне позначення MAX201BОсновні електричні параметри мікросхеми приведені нижче:Напруга живлення: +5±10%В, - 15±15%Максимальний вхідний струм лог.1: 100мкАМаксимальний вхідний струм лог.0: 100мкАМінімальна вхідна напруга лог.1: 2ВМаксимальна вхідна напруга лог.0: 0,8ВМаксимальний вихідний струм лог.1: 0,5мАМаксимальний вихідний струм лог.0: 3,2мАМінімальна вихідна напруга лог.1: 2,4ВМаксимальна вихідна напруга лог.0: 0,4ВВхідна ємність по всіх виводах (на частоті 1МГц): 6пФВихідна ємність (на частоті 1МГц): 5пФПохибка перетворення: ±1/2ОМРЧас перетворення: 20мкССтрум живлення: 15мАСпоживана потужність: 800мВт2.5 Контролер клавіатури і індикаціїДля керування індикацією та сканування клавіатури використовується спеціалізована мікросхема i8279. Вона являє собою контролер клавіатури та індикації. Мікросхема має внутрішній ОЗП клавіатури та індикації, може працювати у декількох режимах і дозволяє керувати восьми - або шістнадцятирозрядною індикацією та опитувати до 128 клавіш або дискретних датчиків. Умовне графічне позначення мікросхеми приведене на рис.14.Рис.13- Умовне-графічне позначення мікросхеми i8279Внутрішня адресація виробляється по входу A0, тому на цей вхід потрібно подати сигнал з адресної шини. Обмін даними йде по шині даних. Входи RL0-RL7 мікросхеми служать для зчитування стану клавіш клавіатури; виходи OutA3-OutA0, OutB0-OutB3 підключаються до індикаторів; виходи S0-S3 - це виходи сканування рядків клавіатури й перебору індикаторів при відображенні. При надходженні інформації від клавіатури контролер виробляє запит на переривання, виставляючи на виході IRQ сигнал активного рівня. Цей сигнал надходить на один із входів зовнішніх переривань мікроконтролера.Найменування виводів мікросхеми i8279:D0…D7 - входи-виходи з третім станомCS - вибір мікросхемиRD - читанняWR - записA0 або C/D - команда / данніCLK - синхронізаціяRES - початкова установаS0…S3 - скануванняBD - гасіння індикаціїOUTA3… OUTA0, OUTB3… OUTB0 - коди символівR0…R7 - прийом сигналів з клавіатуриSHIFT - верхній / нижній регістрIRQ - запит перериванняТехнологічні та електричні характеристики:Технологія - ТТЛШНапруга живлення, В - 5Вихідна напруга, В:високого рівня - 2,4низького рівня - 0.45Вихідний струм, мA:при напрузі низького рівня - 5при напрузі високого рівня - 1Вхідний струм, мкA:низького рівня - 30високого рівня - 30Потужність - 350 мВтСтрум споживання - 60 мАРежими роботи інтерфейсу клавіатури:1. Послідовне опитування матриці клавіш із декодуванням і забороною уведення двох одночасно натиснутих клавіш.2. Послідовне опитування з дешифруванням лічильника сканування з дозволом натискання N клавіш (N<=8).3. Послідовний режим без дешифрації клавіш із забороною уведення 2х і більше натиснутих клавіш (S0-S3 - Висновки лічильника, до нього підключений 8 розрядний дешифратор (128 кл))4. Послідовне опитування без дешифрування й з дозволом N натиснутих клавіш N<=8.5. Послідовне опитування матриці датчиків з дешифруванням матриці сканування.6. Послідовне опитування матриці датчиків без дешифрування матриці сканування.7. Стробований вхід з дешифруванням лічильника сканування, що використається для опитування.8. Стробований вхід без дешифрування лічильника сканування, що використається для опитування.Режими роботи блоку індикації:0. Виводить символ на 8мі розрядну індикацію, з розміщенням їх ліворуч праворуч.1. Виводить символ на 16ти розрядну індикацію, з розміщенням їх ліворуч праворуч.2. Виводить символ на 8мі розрядну індикацію, зі зрушенням раніше відображеної інформації вліво.3. Виводить символ на 16ти розрядну індикацію, зі зрушенням раніше відображеної інформації вліво.Згідно завданню треба організувати 8 індикаторів та 11 клавіш.Для перетворення двійкового коду у семисегментний використаємо дешифратор К155ИД7, який має три входи і вісім виходів, чого достатньо для виконання поставленої задачі. Даний дешифратор у своєму составі має керуючі входи для організації динамічної індикації.Рис.14 - Умовне графічне позначення К155ИД7Найменування виводів:А0-А2 - адресні входи,Q0-Q7 - лінії виходу,С1-С3 - ліній вибору мікросхеми.Технологічні та електричні характеристики:Технологія - ТТЛШНапруга живлення, V - 5Вихідна напруга, Vвисокого рівня - 2,2низького рівня - 0.8Вихідний струм, mAпри напрузі високого рівня - 20при напрузі низького рівня - 8Струм споживання, mA - 74Рис.15 - Схема підключення блоку i8279Сформуємо формат команди встановлення режиму роботи контролера:ICW1 = 00000001B = 01HОбрано Режим 0 роботи інтерфейсу індикації та Режим 1 роботи інтерфейсу клавіатури, вивід символів на 8мі розрядну індикацію з розміщенням їх ліворуч праворуч та з запереченням натискання двох або більше клавіш.Сформуємо формат команди програмування синхронізації: ICW2 = 00110100B = 34H. Коефіцієнт переліку вибрано рівним 20, тобто 10100В, тому що внутрішня частота інтерфейсу не повинна перевищувати 100кГц (2МГц /20 = 100кГц).Сформуємо формат команди запису у ОЗП індикації:ICW3 = 10010000B = 90HСформуємо формат команди читання ОЗП клавіатури:ICW4 = 01010000B = 50HПрограма ініціалізації контролера клавіатури і індикації i8279Мітка | Мнємокод | Операнди | Коментарії | |
i8279: m1: | . equ . equ . equ . equ . equ . equ ldi sts ldi sts ldi sts ldi ldi mov sts dec cpi brne ldi lds mov ret | ICW1 = 0x01 ICW2 = 0x34 ICW3 = 0x90 ICW4 = 0x50 Adr2 = 0x8000 Adr1 = 0x8001 R0, ICW1 Adr1, R0 R0, ICW2 Adr1, R0 R0, ICW3 Adr1, R0 R1, 0x08 R2, 0x100 R3, R2 Adr2, R3 R2 R2, 0 m1 R4, 0x300 R5, Adr2 R4, R5 | ; команда установки режиму ; команда программ. синхронізації ; команда запису в ОЗП індикації ; команда читання ОЗП клавіатури ; адреса завантаження команд ; адреса завантаження даних ; завантаження команди режиму роботи ; у контролер ; завантаження команди програмування ; синхронізації у котролер ; завантаження команди запису в ОЗП ; індикації у контролер ; завантаження лічильника ; завантаження початкової адреси ; завантаження даних в ОЗП індикації ; декремент регістру ; порівняння значення в регістрі з 0 ; перехід на мітку, якщо не рівно 0 ; завантаження початкової адреси ; читання ОЗП клавіатури ; зміст регістру R5 відправити у пам'ять по адресу, який знаходиться в R4 |
